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包含加溫好幾個(gè)半導(dǎo)體芯片芯片以危害其電氣功能。熱處理工藝是關(guān)于不一樣的實(shí)際效果而制定的

可進(jìn)行常壓滲碳或脈沖滲碳，滲碳速度快，滲層質(zhì)量好，可進(jìn)行深部滲碳。

當(dāng)需求冷卻時(shí)，首先將氮?dú)庖霠t內(nèi)發(fā)動(dòng)風(fēng)扇，然后在空氣正常運(yùn)轉(zhuǎn)后將氣體送入爐內(nèi)，通過換熱器冷卻，空氣通過風(fēng)管送風(fēng)，工件淬火。

首先，依照PLC程序抽低真空：緊閉一切的真空閥門，發(fā)動(dòng)機(jī)械泵，待其運(yùn)轉(zhuǎn)正常后（大約1-2 min），打開通向爐體的低真空閥即上碟閥，預(yù)先對(duì)爐體抽低真空。

真空燒結(jié)爐可滿足快速升溫工藝要求；溫控切換器使用進(jìn)口多段智能程序攝氏度控制儀控制，攝氏度控制切換器的穩(wěn)定性

超溫運(yùn)用則會(huì)加劇裂紋的發(fā)生，因而也不要長(zhǎng)時(shí)間在設(shè)計(jì)溫度下運(yùn)用

真空燒結(jié)爐運(yùn)用后要進(jìn)行烘干處理。在烘干初期，升溫速度低，時(shí)間長(zhǎng)，由于升溫時(shí)真空燒結(jié)爐是冷的，爐體資料水分高，所以有必要進(jìn)行烘干。